Mitsubishi Electric Semiconductor RA30H0608M – Transistor IGBT Công Suất Cao

Mô tả

Mitsubishi Electric Semiconductor RA30H0608M là một trong những linh kiện điện tử quan trọng trong các ứng dụng công nghiệp và tự động hóa. Được thiết kế với công nghệ tiên tiến, RA30H0608M là transistor IGBT công suất cao, giúp tăng hiệu suất và tiết kiệm năng lượng trong các thiết bị như máy biến tần, nguồn điện công nghiệp, và các ứng dụng điện tử công suất khác. Với độ bền cao và khả năng làm việc trong môi trường khắc nghiệt, sản phẩm này xứng đáng là lựa chọn tối ưu cho các ứng dụng yêu cầu sự ổn định và hiệu suất vượt trội.

Mô tả chi tiết sản phẩm:

Mitsubishi Electric Semiconductor RA30H0608M là một transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất cao, được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng điện tử công suất lớn. Đây là một trong những linh kiện quan trọng trong ngành công nghiệp, đặc biệt là trong các bộ chuyển đổi năng lượng, máy biến tần và các hệ thống điều khiển động cơ.

Với khả năng chịu tải cao và khả năng chuyển đổi điện năng hiệu quả, RA30H0608M giúp tối ưu hóa hiệu suất của các thiết bị điện công nghiệp. Transistor này cung cấp khả năng xử lý tín hiệu với độ chính xác cao, giúp cải thiện hiệu quả hoạt động của các thiết bị và giảm thiểu thất thoát năng lượng.

Đặc biệt, sản phẩm được thiết kế để chịu được điều kiện nhiệt độ cao và có khả năng làm việc ổn định trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt, nhờ vào cấu trúc và chất liệu bền bỉ. RA30H0608M thường được sử dụng trong các ứng dụng cần công suất lớn và yêu cầu hiệu suất cao, như nguồn điện, máy biến tần, và các ứng dụng tự động hóa công nghiệp.

Được sản xuất bởi Mitsubishi Electric – một trong những thương hiệu hàng đầu trong ngành công nghiệp bán dẫn, RA30H0608M đảm bảo chất lượng vượt trội, độ tin cậy cao và tuổi thọ dài.

Thông số kỹ thuật:

• Mã sản phẩm: RA30H0608M

• Loại: Transistor IGBT công suất cao

• Điện áp cực đại (Vce): 600V

• Dòng cực đại (Ic): 30A

• Tần số chuyển mạch: 20kHz

• Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C

• Công suất tiêu thụ: 200W

• Kích thước: 82 x 62 x 33 mm

• Điện trở chuyển mạch thấp: Giúp tiết kiệm năng lượng

• Ứng dụng: Máy biến tần, hệ thống điều khiển động cơ, nguồn điện công nghiệp

• Chứng nhận: UL, CE, RoHS

• Chất liệu: Silicon

Kết luận:

Mitsubishi Electric Semiconductor RA30H0608M là một linh kiện bán dẫn công suất cao, lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao và độ bền vượt trội. Với công nghệ IGBT tiên tiến, sản phẩm này cung cấp khả năng chuyển mạch nhanh chóng và hiệu quả, giúp tiết kiệm năng lượng và tối ưu hóa hiệu suất cho các hệ thống điện công nghiệp. Nếu bạn đang tìm kiếm một transistor IGBT chất lượng cao cho các ứng dụng công nghiệp, RA30H0608M là sự lựa chọn hoàn hảo.

Để mua sản phẩm chính hãng Mitsubishi Electric Semiconductor RA30H0608M và tìm hiểu thêm về các giải pháp điện tử công suất khác, hãy ghé thăm netvietpro.com.